Основа этой техники — n- и р-канальные полевые транзисторы с изолированным затвором, работающие в режиме обогащения (с индуцированным каналом). Зависимость тока в канале такого транзистора от напряжения на затворе показана на рис. 2 (в первом квадранте — для n-канального транзистора, в третьем — для р-канального).
Но особое качество эта техника приобретает в т. н. комплементарном (дополняющем) [...]
Техническая Охрана.Датчики.